1) Дайте краткую характеристику особенностям роста твердых растворов SiGe на Si(100)

2) Перечислите основные методы исследования роста Ge на поверхности слоя GexSi1-x

3) Перечислите и опишите кинетические процессы, возникающие при осаждении Ge на Si

4) Назовите причины возникновения и дайте описание поверхностной сегрегации и объемной диффузии при формировании слоя GexSi1-x

5) Обоснуйте причины изменения роста Ge на Si (100) из 2D в 3D

6) Перечислите и обоснуйте начальные стадии роста пленок GexSi1-x на Si

7) Перечислите способы получения и морфологические особенности Si наношнуров

8) Перечислите способы получения SiGe наношнуров с различной морфологией